LED知識產(chǎn)權(quán)危機迫在眉睫

我國LED發(fā)明和上游專利比重小

　　我國LED專利主要集中于中下游領域，中游封裝、下游應用環(huán)節(jié)的專利占申請總量的64%。在關系到產(chǎn)業(yè)長遠發(fā)展的關鍵技術環(huán)節(jié)，仍缺乏核心專利。

　　從全球LED專利的演變進程看，我國LED專利的申請進程落后于日本、美國，錯過了第1階段的專利技術前期研發(fā)階段和第2個階段的專利技術培育孵化階段，而直接進入了專利技術的產(chǎn)業(yè)化應用階段。其所產(chǎn)生的影響是我國LED專利發(fā)展的不均衡。從專利類型上看，我國LED專利以實用新型及外觀設計專利為主，發(fā)明型專利占比較低，其中國內(nèi)LED實用型專利占比為59%，外觀設計專利占比為15%，而LED發(fā)明專利占比僅為26%。

　　我國LED專利主要集中于中下游領域，中游封裝、下游應用環(huán)節(jié)的專利占申請總量的64%。其中LED應用申請量最大，約占專利總量的43%，LED封裝占比約21%，外延及芯片占比分別為18%和17%，襯底占比約1%。外延方面，國內(nèi)的量子阱以及緩沖層技術專利與國外存在量與質(zhì)的差距。芯片方面，國內(nèi)的芯片外形技術、表面粗糙化技術和襯底剝離與鍵合技術專利欠缺。封裝方面，我國專利技術發(fā)展迅速，但基座材料專利和熒光材料專利與國外存在差距。特別是在關系到產(chǎn)業(yè)長遠發(fā)展的關鍵技術環(huán)節(jié)，我國仍缺乏核心專利，如藍光LED激發(fā)熒光粉發(fā)白光技術、圖形襯底技術、LED芯片垂直結(jié)構(gòu)技術、倒裝封裝技術以及脈沖寬度調(diào)制(PMW)電源驅(qū)動技術等。